ASML cho biết họ đã đạt được “ánh sáng đầu tiên” trên máy in thạch bản EUV Twinscan high-NA, mở đường cho việc tạo ra thế hệ chip mới nhỏ hơn, nhanh hơn.
Vào ngày 27/2, Giám đốc Công nghệ Intel Ann Kelleher lần đầu tiên đề cập đến sáng kiến mới này tại Hội nghị In thạch bản SPIE tổ chức tại San Jose, Mỹ vào ngày 27/2. ASML sau đó đã xác nhận tin tức này.
Theo công ty Hà Lan, kết quả này đạt được trên máy in thạch bản tia cực tím (EUV) khẩu độ cao Twinscan, được gọi là Twinscan EXE:5000. Chiếc máy mà công ty Hà Lan công bố vào tháng trước có kích thước tương đương một chiếc xe buýt hai tầng, nặng 150 tấn và có giá hơn 380 triệu USD mỗi chiếc. Kelleher cho biết hệ thống đã đạt được “ánh sáng đầu tiên” trên tấm bán dẫn phản ứng. Nghĩa là, các máy dùng để kiểm tra tấm silicon đã được xử lý bằng các hóa chất nhạy sáng để khiến chúng sẵn sàng tiếp nhận. Điều này giúp máy “in” được nhiều chip vào một khu vực hơn trước.
Marc Assinck, người phát ngôn của ASML giải thích: “Về mặt kỹ thuật, First Light là 'ánh sáng đầu tiên' trong kỹ thuật in thạch bản vi mạch. Tuy nhiên, hãng vẫn đang hiệu chuẩn Twinscan High-NA ở Hà Lan nên máy vẫn chưa in ra mẫu chip thử nghiệm đầu tiên.
Một tia cực tím chiếu vào tấm wafer silicon bên trong máy ASML EUV. hình ảnh: ASML
dựa theo Reuters, nguồn sáng là một trong những phần phức tạp nhất của bất kỳ thiết bị EUV nào. Quang khắc là một quá trình trong đó mẫu mạch được in lên bề mặt cảm quang của tấm bán dẫn silicon bằng cách chiếu ánh sáng lên tấm bán dẫn silicon thông qua một đĩa thủy tinh có mẫu mạch được vẽ sẵn. Mạch càng nhỏ thì càng cần nhiều bước sóng ánh sáng ngắn, trong đó EUV là sự phát triển hiện đại nhất hiện nay.
Một trong những thông số quan trọng của EUV là khẩu độ. Khẩu độ cao hơn sẽ mở rộng chùm tia UV bên trong máy trước khi nó tiếp xúc với chất nền silicon. Chùm tia càng rộng và cường độ cao thì càng nâng cao độ chính xác của mạch in và mật độ các thành phần trên đế silicon. Máy in thạch bản Twinscan High-NA của ASML được trang bị hệ thống quang học khẩu độ số 0,55 có thể đạt được độ phân giải bước sóng thấp tới 8 nm trong một lần phơi sáng, thấp hơn nhiều so với hầu hết các hoạt động của hệ thống EUV NA điển hình của ASML, cung cấp độ phân giải 13,5 nm Tỷ lệ, phơi sáng đơn lẻ. Điều này giúp tăng mật độ thành phần lên 2,9 lần so với dòng EUV trước đây.
Đối với máy in thạch bản, nguồn sáng và gương cần được hiệu chỉnh chính xác để chiếu sáng chùm tia trong quá trình in thạch bản. Cột mốc “Bình minh” cho thấy một thành phần quan trọng của hệ thống Twinscan EXE:5000 đang hoạt động theo tính toán, mặc dù vẫn chưa đạt được hiệu suất cao nhất.
ASML đang thử nghiệm Twinscan High-NA tại phòng thí nghiệm của mình ở Veldhoven (Hà Lan), trong khi Intel đang lắp ráp EUV gần nhà máy của mình ở Hillsboro, Oregon, Mỹ, trước khi chính thức đi vào sản xuất vào năm 2025. Trong khi đó, nhà sản xuất TSMC và Samsung có kế hoạch đưa máy vào sản xuất trong vòng 5 năm tới. Cả ASML và Intel đều không tiết lộ hiệu suất và sức mạnh tối đa của các nguồn sáng trên các máy Twinscan mới nhất.
Tại một sự kiện diễn ra vào tuần trước, Intel cho biết họ có kế hoạch sử dụng EUV tiên tiến của ASML để sản xuất thế hệ chip 14A của mình. Công nghệ 14A cho phép Intel sản xuất chip trên quy trình cực nhỏ, điều mà CEO Pat Gelsinger dự đoán sẽ “giành lại vương miện sản xuất chip đã rơi vào tay TSMC của Đài Loan”.
(dựa theo Reuters, Phần cứng của Tom)
